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          純硅光學(xué)性能提升四個(gè)數(shù)量級

          通過操縱光子動量

          2024年09月25日09:01 | 來源:科技日報(bào)
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          原標(biāo)題:純硅光學(xué)性能提升四個(gè)數(shù)量級

          科技日報(bào)北京9月24日電 (記者劉霞)美國加州大學(xué)爾灣分??茖W(xué)家領(lǐng)導(dǎo)的國際科研團(tuán)隊(duì),通過操縱入射光子的動量,使純硅從間接帶隙半導(dǎo)體變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體,其光學(xué)性能提升了4個(gè)數(shù)量級。相關(guān)論文發(fā)表于最新一期《美國化學(xué)學(xué)會·納米》雜志。

          研究團(tuán)隊(duì)解釋稱,這一光子現(xiàn)象的奧秘在于海森堡不確定性原理。當(dāng)光被限制在幾納米以下的尺度時(shí),動量分布會變寬。其動量會顯著增加至自由空間內(nèi)光子動量的1000倍,與材料內(nèi)部電子的動量相當(dāng)。

          一般認(rèn)為,材料在吸收光時(shí),光子僅會改變材料內(nèi)電子的能量狀態(tài),實(shí)現(xiàn)“垂直躍遷”。但最新研究結(jié)果表明,動量增強(qiáng)的光子不僅能改變電子的能量狀態(tài),還能同時(shí)改變其動量狀態(tài),從而解鎖新的躍遷路徑——對角線躍遷,這顯著提升了材料的吸光能力。

          在最新研究中,通過增強(qiáng)光子的動量,團(tuán)隊(duì)成功地將純硅從間接帶隙半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體,其吸光能力增加了4個(gè)數(shù)量級。

          作為間接半導(dǎo)體,硅在吸收光時(shí),不僅需要光子改變電子的能量狀態(tài),還需要聲子(晶格振動)改變電子的動量狀態(tài)。但光子、聲子、電子同時(shí)同地相互作用的可能性極低,導(dǎo)致硅的光學(xué)性質(zhì)很弱。

          為了更有效地捕獲太陽光,硅基太陽能電池板需要一定厚度的硅層。這不僅提高了生產(chǎn)成本,而且由于載流子增加而限制了能效。雖然薄膜太陽能電池提供了一種解決方案,但這些材料往往容易快速退化或生產(chǎn)成本高昂,難以大規(guī)模推廣應(yīng)用。

          團(tuán)隊(duì)指出,能以相同系數(shù)減少硅層的厚度,為超薄設(shè)備和太陽能電池開辟了新途徑。此外,新方法無需對材料進(jìn)行任何改變,且可與現(xiàn)有制造技術(shù)集成,或?qū)氐赘淖兲柲茈姵睾凸怆娮釉O(shè)備領(lǐng)域。

          (責(zé)編:羅知之、陳鍵)
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